Datasheet下载- 型号： PESD3V3L4UW,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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PESD3V3L4UW,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PESD3V3L4UW,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PESD3V3L4UW,115价格参考。NXP SemiconductorsPESD3V3L4UW,115封装/规格：TVS - 二极管， 12V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SOT-665。您可以下载PESD3V3L4UW,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PESD3V3L4UW,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PESD3V3L4UW,115 是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管，专为保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压脉冲损害而设计。该器件属于TVS二极管类别，具有低电容、快速响应和高可靠性等特点，适用于高速数据线路的信号保护。 PESD3V3L4UW,115 主要应用于便携式消费类电子产品和通信设备中，典型使用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、USB接口（如USB 2.0和USB Type-C）、HDMI端口、音频/视频接口以及其它高速I/O端口。其工作电压为3.3V，能够有效钳制高达±30kV接触ESD的瞬态电压，符合IEC 61000-4-2国际标准，确保系统在恶劣电磁环境下的稳定运行。 该器件采用小型化DFN1006-2封装，尺寸仅为1.0mm × 0.6mm，非常适合空间受限的高密度PCB布局。同时，其低动态电阻和低箝位电压特性可最大限度减少对被保护电路的干扰，提升整体系统可靠性。 综上所述，PESD3V3L4UW,115 广泛用于需要高效ESD防护的现代电子设备中，尤其适合高速信号线路的过压保护，保障终端产品在日常使用中的安全性和耐用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 3.3VWM 12VC SOT665TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,NXP Semiconductors PESD3V3L4UW,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PESD3V3L4UW,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | 22pF @ 1MHz |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | SOT-665 |
| 其它名称 | 568-7339-2 |
| 击穿电压 | 5.32 V |
| 功率-峰值脉冲 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 4 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-665 |
| 封装/箱体 | SOT-665 |
| 尺寸 | 1.3(Max) mm W x 1.7(Max) mm L |
| 峰值浪涌电流 | 3 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 30 W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C （TA） |
| 工作电压 | 3.3 V |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 5.32V |
| 电压-反向关态（典型值） | 3.3V （最小值） |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 12V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 3A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
| 钳位电压 | 12 V |
| 零件号别名 | PESD3V3L4UW T/R |
