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- 型号： PEMH18,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH18,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH18,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMH18,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMH18,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMH18,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMH18,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路集成基极-发射极电阻（R1=10 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R2=47 kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电路。该器件采用 SOT-666 小型封装，具有低功耗、高可靠性及优良的开关一致性。 典型应用场景包括： 1. 数字逻辑接口电平转换与驱动：用于微控制器（如ARM、PIC）GPIO口驱动LED、小型继电器或光耦输入级，简化电路设计； 2. 多路信号开关/选通电路：在消费电子（如电视主板、机顶盒）中实现多路信号的快速通断控制； 3. 传感器信号调理前端：配合霍尔传感器、光电开关等，作为缓冲放大或电平整形级，提升抗干扰能力； 4. 电源管理辅助电路：用于负载开关控制、电源使能（EN）信号分配或LDO使能逻辑； 5. 工业I/O模块：在PLC输入端子板或工业HMI中，实现24V→3.3V/5V电平适配与隔离驱动。 其预偏置结构显著降低PCB面积与BOM成本，提高量产一致性，适用于空间受限、需快速部署的中低速开关应用（fT≈250 MHz，开关时间纳秒级）。不适用于线性放大或高频射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMH18,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058932115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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