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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB14,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB14,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB14,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMB14,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMB14,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMB14,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管(BJT)预偏置阵列,内置两个 NPN 晶体管,各集成基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R₁=10kΩ,R₂=10kΩ),支持直接逻辑电平驱动,无需外部偏置电路。其主要应用场景包括: 1. 数字开关与逻辑接口:广泛用于微控制器(MCU)、FPGA 或门电路的输出扩展,驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或低功耗负载,简化PCB设计并提升可靠性。 2. 电平转换与信号调理:在3.3V/5V混合系统中实现电压兼容性转换,适配不同逻辑电平的输入/输出接口。 3. 负载驱动与缓冲:驱动中等电流负载(Ic,max = 100mA,连续;Io,max ≈ 80mA per channel),适用于打印机、POS终端、家电控制板中的指示灯、小功率电磁阀或光电耦合器输入级。 4. 空间受限的便携设备:采用SOT-363(SC-70-6)微型封装,尺寸仅2.1×2.0×0.9mm,适合可穿戴设备、传感器模块及紧凑型IoT终端。 5. 高可靠性替代方案:相比分立晶体管+电阻方案,预偏置结构减少元件数量、降低贴片成本与失效风险,提升量产一致性。 该器件工作温度范围为−65°C至+150°C,符合AEC-Q101车规标准(部分版本),亦可用于工业控制与汽车电子中的非安全关键信号切换场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PEMB14,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058909115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |