Datasheet下载- 型号： PDTC123YM,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC123YM,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC123YM,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTC123YM,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC123YM,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC123YM,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC123YM,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型 R₁ = 2.2 kΩ，R₂ = 10 kΩ），具备数字逻辑兼容的开关特性。其主要应用场景包括： ✅ 数字电路接口与电平转换：可直接连接微控制器（如GPIO）驱动LED、继电器或小功率负载，无需外置偏置电阻，简化PCB设计； ✅ LED驱动：常用于消费电子（如遥控器、键盘背光、指示灯）中作为恒流/开关驱动，支持5V或3.3V逻辑电平控制； ✅ 信号切换与负载开关：在便携设备（如TWS耳机、智能穿戴）中用作低功耗状态切换，典型I₅ₘₐₓ=100mA，VCEO=50V，满足多数低压应用； ✅ 反相器与缓冲器：利用其内置电阻网络实现简单数字反相功能，适用于低速（fT≈250MHz）、非精密开关场合； ✅ 工业与家电控制：在白色家电（如洗衣机面板、空调显示模块）中驱动蜂鸣器、小型电磁阀或光电耦合器输入级。 该器件采用SOT-323（SC-70）超小型封装，适合高密度布局；具有±5kV HBM ESD防护能力，提升系统鲁棒性；工作温度范围为−65°C至+150°C，适应宽温环境。注意：不适用于线性放大或高频射频场景，亦不可替代功率MOSFET驱动大电流负载。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTC123YM,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 934058828315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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