Datasheet下载- 型号： PDTC115TE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTC115TE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTC115TE,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTC115TE,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTC115TE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTC115TE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTC115TE,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极间电阻（R₁=100 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R₂=100 kΩ），即“15”后缀对应 100 kΩ/100 kΩ 配置。其典型应用为数字逻辑接口与中小功率开关控制场景。 该器件常用于微控制器（如 ARM、AVR、PIC）IO口直接驱动负载，无需外置偏置电阻，简化PCB设计并提升可靠性。典型应用场景包括：LED指示灯驱动、小型继电器/蜂鸣器控制、信号电平切换、电源使能（EN）控制、I²C/SPI总线缓冲、以及消费电子（如机顶盒、打印机、家电控制板）中的输入/输出端口保护与电平适配。 得益于预偏置结构，它具备明确的开关阈值（典型VIN(ON) ≈ 0.7 V，VIN(OFF) < 0.3 V），抗干扰能力强，适合3.3 V或5 V数字系统；最大IC为100 mA，PD为250 mW，适用于低功耗、非高频（fT≈250 MHz，但开关频率建议≤10 MHz）场合。SOT-23小尺寸封装便于高密度布板。 注意：不适用于线性放大、大电流驱动（如电机）、高压隔离或精密模拟电路。使用时需确认负载电流及功耗在安全工作区（SOA）内。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN W/RES 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTC115TE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTC115TE,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-2145-6 |
| 典型输入电阻器 | 100 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SOT-416-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PDTC115TE T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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