Datasheet下载- 型号： PDTA144VU,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA144VU,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA144VU,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA144VU,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA144VU,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA144VU,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PDTA144VU,115是一款PNP型预偏置双极结型晶体管（BRT），内置基极-发射极电阻（R1=47 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R2=47 kΩ），具备内置偏置网络，无需外接偏置电阻。其典型应用场景包括： - 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（如MCU、FPGA）I/O口驱动，将3.3 V/5 V TTL/CMOS信号安全、可靠地转换为开关控制信号，驱动LED、继电器或小功率负载； - LED驱动电路：作为低功耗、高可靠性恒流开关，适用于消费电子（如手机背光、指示灯）、家电面板显示等场景； - 负载开关与电源管理：在便携设备中用作电池供电侧的低压侧开关，实现负载通断控制，降低待机功耗； - 传感器信号调理与缓冲：配合光电开关、霍尔传感器等数字输出型传感器，提供电气隔离与电流放大功能； - 空间受限的高密度PCB设计：采用SOT363（SC-88）超小型封装（尺寸仅2.1 × 2.0 × 0.9 mm），适合智能手机、TWS耳机、可穿戴设备等对尺寸和BOM精简要求严苛的应用。 该器件具有高增益（hFE典型值160）、低饱和压降（VCE(sat) ≤ 0.1 V @ IC = 10 mA）、宽工作温度范围（−55°C 至 +150°C）及AEC-Q101认证（部分批次），亦适用于汽车电子中的非安全关键模块（如车身控制、照明）。整体以简化设计、提升可靠性、节省PCB面积为核心优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA144VU,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 934058791115 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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