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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTA144VMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA144VMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA144VMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA144VMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA144VMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA144VMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PDTA144VMB,315是一款PNP型预偏置双极结型晶体管（BRT），内置R1=47kΩ（基极-发射极）和R2=47kΩ（基极-集电极）两个电阻，简化外围电路设计。其典型应用场景包括： - 数字逻辑接口电平转换与驱动：常用于微控制器（如MCU、FPGA）GPIO引脚驱动LED、小型继电器或蜂鸣器，利用其内置偏置电阻实现单电阻控制，节省PCB空间并提升可靠性。 - 负载开关与电源管理：在便携式设备（如TWS耳机、可穿戴设备）中作为低功耗高边/低边开关，控制外设电源通断，典型工作电流≤100mA，满足IoT终端对小尺寸和低静态功耗的需求。 - 信号调理与反相缓冲：在传感器信号链中作简单反相器或电平整形电路，适用于对速度要求不高的场合（f<100MHz），如按键消抖、状态指示灯控制等。 - 汽车电子辅助功能：符合AEC-Q101标准，可用于车身控制模块（BCM）中的非安全相关子系统，如车窗升降指示、阅读灯控制等。 该器件采用SOT-723超小型封装（1.2×0.8×0.5mm），适合高密度布局；ESD防护达HBM ±4kV，增强系统鲁棒性。适用于成本敏感、空间受限且需快速设计导入的消费类及工业嵌入式应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA144VMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065928315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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