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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTA123EMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA123EMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA123EMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA123EMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA123EMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA123EMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA123EMB,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款数字晶体管（即带内置偏置电阻的 NPN 型预偏置双极结型晶体管，BRT），集成了一个 2.2 kΩ 上拉电阻（R1）和一个 10 kΩ 基极-发射极下拉电阻（R2），典型 β（hFE）约为 100（Ic = 10 mA），VCEO = 50 V，IC(max) = 100 mA。 其主要应用场景包括： ✅ 逻辑电平接口转换：可直接连接微控制器（如 GPIO 3.3 V/5 V 输出）驱动中小功率负载，无需外置基极电阻，简化 PCB 设计； ✅ LED 驱动：常用于指示灯、背光控制等低电流（≤100 mA）LED 开关应用； ✅ 继电器/蜂鸣器驱动：作为小信号开关控制线圈回路（需配合续流二极管）； ✅ 电源使能（Enable）控制：在 DC-DC 或 LDO 电路中用作受控通断开关； ✅ 电平移位与信号缓冲：适用于低速数字信号（如 I²C 上拉辅助、按键扫描、复位信号整形等）。 该器件采用超小型 SOT-883（0.8 × 0.6 mm）封装，适合高密度便携式设备（如 TWS 耳机、可穿戴设备、IoT 传感器节点）。注意：不适用于高频放大或大电流/高功耗场景（如电机驱动、音频功放），亦不可替代普通 BJT 进行模拟线性放大。使用时建议参考 NXP 官方数据手册确认热设计及开关时序参数。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA123EMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065933315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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