Datasheet下载- 型号： PDTA115EE,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA115EE,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA115EE,115价格参考。NXP SemiconductorsPDTA115EE,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA115EE,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA115EE,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA115EE,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极间电阻网络（R1=100 kΩ，R2=100 kΩ），具备内置偏置功能，无需外部偏置电阻即可实现开关驱动。 其典型应用场景包括： ✅ 数字逻辑接口与电平转换：用于微控制器（如MCU、GPIO）与较高电压/电流负载之间的信号隔离与驱动，简化电路设计； ✅ LED 驱动：直接驱动中小功率LED，适用于消费电子、家电面板指示灯等； ✅ 继电器/蜂鸣器驱动：作为低功耗开关控制感性负载（需配合续流二极管）； ✅ 电源使能控制（Enable Switching）：在便携设备中用于控制LDO或DC-DC模块的使能端； ✅ 电池供电设备中的省电开关：因输入阈值明确（VBE(SAT)≈0.7 V）、开关特性稳定，适合低功耗待机管理。 该器件采用SOT323（SC-70）超小型封装，支持高密度贴装；具有±50 mA集电极连续电流、50 V集电极-发射极击穿电压（VCEO），工作结温范围宽（–65°C 至 +150°C），可靠性高。广泛应用于智能手机配件、可穿戴设备、智能家电、工业控制板及IoT终端等对空间、BOM成本和设计简洁性有要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75开关晶体管 - 偏压电阻器 PNP W/RES 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PDTA115EE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PDTA115EE,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-2106-6 |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 100 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | SC-75-3 |
| 峰值直流集电极电流 | - 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 零件号别名 | PDTA115EE T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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