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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA114EEAF由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA114EEAF价格参考。NXP SemiconductorsPDTA114EEAF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PDTA114EEAF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PDTA114EEAF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA114EEAF 是由 NXP USA Inc. 生产的预偏置单双极晶体管 (BJT)。这款晶体管具有高集成度和优化设计,适用于多种应用场景,尤其在功率放大、开关电路和信号处理领域表现出色。 应用场景: 1. 功率放大器: PDTA114EEAF 适用于高频功率放大器,特别是在射频 (RF) 和微波通信系统中。其预偏置特性使得该晶体管在不同工作条件下保持稳定输出,确保放大器的高效能和可靠性。典型应用包括无线通信基站、卫星通信设备和雷达系统中的功率放大模块。 2. 开关电源: 在开关电源设计中,PDTA114EEAF 可用于实现高效的开关控制。其快速开关特性和低饱和电压有助于减少能量损耗,提高电源转换效率。此外,预偏置功能简化了电路设计,减少了外部元件数量,降低了整体成本。 3. 音频放大器: 该晶体管也适用于音频放大器,尤其是需要高保真度和低失真的场合。其线性度好、噪声低的特点使其成为高品质音响设备的理想选择。预偏置设计确保了稳定的静态工作点,避免了交越失真,提升了音质表现。 4. 工业控制: 在工业自动化控制系统中,PDTA114EEAF 可用于驱动各种执行器和传感器。其高电流承载能力和快速响应速度使其能够在复杂的工业环境中可靠运行。预偏置特性增强了系统的抗干扰能力,提高了控制精度。 5. 汽车电子: 汽车电子系统对元器件的可靠性和稳定性要求极高。PDTA114EEAF 的预偏置设计和宽温度范围使其非常适合应用于汽车电子领域,如发动机控制单元 (ECU)、车载信息娱乐系统和车身控制系统等。 总之,PDTA114EEAF 凭借其预偏置设计和优异的性能参数,在多个领域展现了广泛的应用前景,特别是在需要高稳定性和高效能的场合下表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 150MW SC-75 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PDTA114EEAF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 934051530135 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |