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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PDTA113EMB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PDTA113EMB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PDTA113EMB,315价格参考。NXP SemiconductorsPDTA113EMB,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PDTA113EMB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PDTA113EMB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PDTA113EMB,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款内置偏置电阻的 NPN 型数字晶体管（Digital Transistor, DTR），属于预偏置双极结型晶体管（BJT）类别。其典型结构为：NPN 晶体管 + 集成 R1=10 kΩ（基极-输入电阻）和 R2=10 kΩ（基极-发射极下拉电阻），采用超小型 SOT-883（0.65 mm × 0.65 mm）封装，适合高密度贴装。 主要应用场景包括： ✅ 低功耗逻辑电平转换与开关控制：常用于 MCU（如 ARM、ESP32、STM32）GPIO 直接驱动 LED、小型继电器、蜂鸣器或小功率 MOSFET 栅极，无需外置偏置电阻，简化 PCB 设计并提升可靠性。 ✅ 便携式电子设备信号调理：在 TWS 耳机、智能手表、可穿戴设备中，用于按钮检测、状态指示、传感器接口等弱信号开关场景，得益于其低饱和电压（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）、低输入电流需求（IIN≈0.3 mA）及优异温漂稳定性。 ✅ 电池供电终端的节能控制：R2 提供可靠关断，避免悬空导致的误触发，显著降低待机功耗，适用于烟雾报警器、IoT 传感器节点等长续航应用。 该器件符合 AEC-Q101（车规级）标准（具体以数据手册标注为准），亦可用于工业控制板、家电主控板中的非安全关键信号切换。注意：不适用于大电流（>100 mA）、高频放大或线性模拟应用。实际使用需参考 NXP 官方 datasheet（Rev. 1.2+）进行热设计与驱动能力校核。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA113EMB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 1.5mA，30mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 40mA，5V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 934065918315 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 1k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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