Datasheet下载- 型号： PBSS8110D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS8110D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS8110D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS8110D,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS8110D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS8110D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS8110D,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。以下是该型号可能的应用场景： 1. 开关电路 - PBSS8110D,115 可用作电子开关，控制其他设备的开启和关闭。例如，在电源管理模块中，用于控制负载的通断。 - 应用于继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等场景。 2. 信号放大 - 作为信号放大器使用，适用于音频信号或其他低功率信号的放大。例如，在音频前置放大器或传感器信号调理电路中。 - 能够提高信号强度，确保信号传输的完整性。 3. 电源管理 - 在直流-直流转换器或稳压电路中，作为电流调节元件使用，帮助稳定输出电压。 - 可用于电池充电保护电路，防止过流或过压损坏设备。 4. 脉宽调制 (PWM) 控制 - 在 PWM 控制电路中，PBSS8110D,115 可以调节输出功率，适用于 LED 亮度调节或小型风扇速度控制。 5. 通信与射频应用 - 在低频通信设备中，可用于信号调制或解调。 - 某些情况下，也可用于简单的射频信号处理。 6. 家用电子产品 - 适用于家用电子产品的控制电路，如遥控器、玩具、小家电等。 - 提供稳定的电流输出，支持设备的基本功能运行。 7. 工业自动化 - 在工业控制领域，可用于传感器信号的处理或执行器的驱动。 - 支持简单逻辑电路的设计，实现基本的自动化功能。 总结来说，PBSS8110D,115 的应用场景广泛，主要集中在需要低功耗、高可靠性和小型化设计的电子设备中。其具体应用取决于电路设计需求和外部条件的匹配。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 100V 1A 6TSOP两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS8110D,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS8110D,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 250mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7325-2 |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 700 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 150 at 1 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 at 1 mA at 10 V, 150 at 250 mA at 10 V, 100 at 0.5 A at 10 V, 80 at 1 A at 10 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 120 V |
| 零件号别名 | PBSS8110D T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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