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Datasheet下载- 型号： PBSS4630PA,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBSS4630PA,115产品简介：
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PBSS4630PA,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 NPN 型双极结型晶体管（BJT），采用 SOT1215（DFN2020-6）小型无引线封装，具备低饱和压降（VCE(sat) 典型值仅 0.13 V @ IC=3 A）、高电流增益（hFE = 200–450 @ IC=1 A）、高开关速度及良好热性能（Rth(j-sp) ≈ 75 K/W）。其典型应用场景包括： 1. DC-DC 转换器中的同步整流或开关管——适用于便携式设备、电源管理模块中高效低压侧开关； 2. LED 驱动电路——驱动中高亮度 LED 或 LED 阵列，支持 PWM 调光与恒流控制； 3. 电机驱动（小功率）——用于微型直流电机、振动马达或继电器驱动等低功耗负载的开关控制； 4. 电池供电设备的电源通断/负载开关——如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的电池保护与负载管理； 5. 工业与消费类电子中的信号放大与逻辑电平转换——在低噪声、中速模拟/数字接口电路中用作有源开关或缓冲级。 该器件额定集电极电流 IC = 3 A（连续），VCEO = 30 V，适合 3.3 V / 5 V / 12 V 系统，兼具高可靠性与小尺寸优势，广泛应用于空间受限且对能效敏感的嵌入式系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 30V 6A SOT1061两极晶体管 - BJT 30V 6A NPN LO VCEsat TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4630PA,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4630PA,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 275mV @ 300mA，6A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 260 @ 2A，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-HUSON |
| 其它名称 | 568-5139-1 |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 115 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-PowerUDFN |
| 封装/箱体 | SOT-1061 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2.1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 7 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 450 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极连续电流 | 6 A |
| 频率-跃迁 | 115MHz |
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