Datasheet下载- 型号： PBSS4560PA,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4560PA,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4560PA,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4560PA,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS4560PA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4560PA,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4560PA,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关电路 - PBSS4560PA,115 可用作电子开关，广泛应用于数字电路中。通过控制基极电流，实现集电极和发射极之间的导通或截止状态，适用于继电器驱动、LED 驱动、电机控制等场景。 2. 信号放大 - 该晶体管可以用于音频信号或其他低频信号的放大。例如，在音响设备、对讲机或无线通信模块中，作为前置放大器或功率放大器的一部分。 3. 电源管理 - 在直流-直流转换器或稳压电路中，PBSS4560PA,115 可以用作调节元件，帮助维持输出电压的稳定性。它还可以用于过流保护电路中，防止负载电流过大损坏设备。 4. 传感器接口 - 在工业自动化或物联网设备中，该晶体管可用于将传感器的微弱信号放大到可检测的水平，或者用作传感器与主控芯片之间的隔离开关。 5. 脉宽调制 (PWM) 控制 - 在需要精确控制输出功率的应用中，如 LED 调光、风扇速度控制或小型电机驱动，PBSS4560PA,115 可以通过 PWM 信号进行高效控制。 6. 射频和高频应用 - 尽管主要为低频设计，但 PBSS4560PA,115 在某些情况下也可以用于低功率射频电路，例如振荡器、混频器或调制解调器中。 总结 PBSS4560PA,115 的应用场景涵盖了消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等多个领域。其具体使用取决于电路设计需求，包括工作电压、电流容量以及频率范围等因素。在实际应用中，需结合其技术规格（如最大集电极电流、电压和功率耗散）进行合理选型和设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 60V 6A SOT1061两极晶体管 - BJT 60V 6A NPN LO VCEsat TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4560PA,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4560PA,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 290mV @ 300mA，6A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 210 @ 2A，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-HUSON |
| 其它名称 | 568-6411-6 |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-PowerUDFN |
| 封装/箱体 | SOT-1061 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2.1 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 7 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 440 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 70 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 6 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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