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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4240DPN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4240DPN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4240DPN,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS4240DPN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4240DPN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.的型号PBSS4240DPN,115是一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要高效、高稳定性的模拟和数字电路设计中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理与开关电路:该器件具备良好的导通特性和快速开关能力,适合用于DC-DC转换器、负载开关以及电源控制模块中。 2. 马达驱动与继电器控制:由于其能够承受一定的电流和电压应力,适用于小型电机驱动、继电器或电磁阀的控制电路。 3. 工业自动化系统:在PLC(可编程逻辑控制器)、传感器接口和执行器驱动电路中,PBSS4240DPN广泛用于信号放大与逻辑控制功能。 4. 汽车电子应用:符合AEC-Q101标准,适用于车载环境中的电子控制系统,如车身控制模块、照明系统及辅助电机控制等。 5. 消费类电子产品:可用于LED背光调节、音频功率放大、充电管理等场景,提供紧凑且可靠的解决方案。 6. 通信设备:在基站、路由器或交换机等通信基础设施中,作为信号切换或电源调节的关键元件。 该器件采用DQFN封装,具有体积小、热性能好、易于贴装等优点,适用于高密度PCB布局和自动化生产流程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN/PNP 40V 6TSOP两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4240DPN,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PBSS4240DPN,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 200mA,2A / 530mV @ 200mA,2A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 500mA,5V / 300 @ 100mA,5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | 568-4349-1 |
功率-最大值 | 1.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 150 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SC-74-6 |
工具箱 | /product-detail/zh/3806620/NXPBISS1-KIT-ND/1841807 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | NPN,PNP |
最大功率耗散 | 370 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | +/- 3 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1.35A,1.1A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流电流增益hFE最大值 | 300 at 1 mA at 5 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 40 V |
集电极连续电流 | 1.35 A, - 1.1 A |
零件号别名 | PBSS4240DPN T/R |
频率-跃迁 | 150MHz |