Datasheet下载- 型号： PBSS4032SN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4032SN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4032SN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4032SN,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS4032SN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4032SN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4032SN,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极性晶体管（BJT）阵列，采用 SOT-883 小型封装，内置两个独立的 NPN 晶体管（共发射极配置），具有高增益（hFE 典型值 250@Ic=10mA）、低饱和压降（VCE(sat) 低至 0.14V@Ic=10mA）、高开关速度及良好热稳定性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备的信号切换与逻辑电平转换：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中，用于驱动LED指示灯、蜂鸣器或I/O扩展电路； 2. 电源管理中的负载开关与使能控制：在DC-DC转换器或LDO后级，用作低功耗、快速响应的使能开关； 3. 工业与消费类MCU外围接口驱动：替代传统达林顿或单管方案，以双通道结构简化PCB布局，驱动小型继电器、光电耦合器或传感器接口； 4. 电池供电系统中的低功耗信号放大与缓冲：适用于传感器信号调理前端（如温度/霍尔传感器输出缓冲），兼顾微安级静态电流与可靠开关性能。 该器件支持-55°C~150°C宽温工作，符合AEC-Q101车规可靠性标准（部分批次），亦可用于汽车电子辅助模块（如车身控制模块中的小功率负载控制）。其微型封装和双通道集成特性显著节省PCB面积，适合高密度、低功耗、小尺寸设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 30V 5.7A 8SO |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBSS4032SN,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 450mV @ 300mA，6A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 2A，2V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 568-6399-2 |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5.7A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 频率-跃迁 | 140MHz |
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