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- 型号： PBSS3540E,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PBSS3540E,115产品简介：
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PBSS3540E,115 是 NXP USA Inc. 推出的 NPN 型硅外延平面双极结型晶体管（BJT），采用 SOT-23 表面贴装封装，具备高增益（hFE 典型值 250@Ic=100mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 130mV@Ic=100mA, Ib=10mA）及 40V 集电极-发射极击穿电压（VCEO），连续集电极电流达 500mA。 其典型应用场景包括： 1. 中小功率开关电路：如便携式设备中的 LED 驱动、蜂鸣器控制、继电器驱动等，得益于低饱和压降与快速开关特性（tf ≈ 12ns），可提升能效； 2. 线性稳压与负载开关：在低压差（LDO）辅助电路或电源通断控制中用作有源调整管或使能开关； 3. 信号放大与接口电平转换：适用于消费电子、工业控制板中对中低频（fT ≈ 120MHz）小信号进行缓冲或逻辑电平适配； 4. 电池供电设备：如蓝牙耳机、智能穿戴、遥控器等，SOT-23 小尺寸与低功耗特性契合空间与功耗敏感需求。 该器件符合 AEC-Q101（汽车级可靠性标准），亦可用于车载信息娱乐系统中的非安全关键传感/指示电路。需注意其为通用高性能 BJT，不适用于高频射频或大功率放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 40V 500MA SC75 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBSS3540E,115 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 350mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 100mA，2V |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-6850-2 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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