ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > PBSS3515MB,315
Datasheet下载- 型号： PBSS3515MB,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS3515MB,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS3515MB,315价格参考。NXP SemiconductorsPBSS3515MB,315封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 15V 500mA 280MHz 250mW 表面贴装 DFN1006B-3。您可以下载PBSS3515MB,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS3515MB,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS3515MB,315 是 NXP USA Inc. 推出的 PNP 型硅外延平面双极结型晶体管（BJT），具有低饱和电压（VCE(sat) 典型值仅 150 mV @ IC=500 mA）、高电流增益（hFE = 150–300 @ IC=100 mA）及小型 SOT-883（0.8×0.6×0.4 mm）封装，适合空间受限的便携式设备。 其典型应用场景包括： ✅ 电池供电设备中的负载开关——如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中用于控制LED背光、传感器或外围模块的电源通断，凭借低VCE(sat)减小功耗与发热； ✅ 逻辑电平转换与信号反相驱动——在3.3 V/1.8 V MCU系统中，可靠驱动中等电流（≤500 mA）负载，实现GPIO扩展功能； ✅ DC-DC转换器的辅助开关或基准电流源——在小型LDO或开关电源反馈环路中提供稳定偏置电流； ✅ 工业与消费类IoT节点中的低功耗接口电路——如按钮唤醒电路、状态指示灯驱动、EEPROM复位信号整形等。 该器件工作结温范围为−55°C 至 +150°C，具备AEC-Q101可靠性认证（部分批次），亦适用于汽车电子中的非安全关键子系统（如车身控制模块的LED照明驱动）。需注意其最大集电极电流为500 mA（连续），设计时应留有余量并确保PCB散热良好。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 15V 0.5A 3DFN两极晶体管 - BJT 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS3515MB,315- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS3515MB,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 25mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 10mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 568-10519-1 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 280 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 封装/箱体 | SOT883B |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 590 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 15 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 15 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 25 mV |
| 集电极连续电流 | - 500 mA |
| 频率-跃迁 | 280MHz |
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