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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBRP113ZT,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBRP113ZT,215价格参考。NXP SemiconductorsPBRP113ZT,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBRP113ZT,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBRP113ZT,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBRP113ZT,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极与基极-集电极电阻(典型配置:R₁ = 10 kΩ,R₂ = 10 kΩ),采用 SOT-23 小型表面贴装封装。其主要应用场景包括: 1. 数字逻辑接口与电平转换:适用于微控制器(MCU)、FPGA 或逻辑IC驱动LED、继电器、小功率MOSFET等负载,简化外围偏置电路,节省PCB空间与BOM成本。 2. 开关应用:在低功耗、中低速(fₜ ≈ 250 MHz)开关场景中表现优异,如电源使能控制、负载开关、信号选通等,典型工作电流 Ic ≤ 100 mA。 3. 传感器信号调理前端:可作为光电二极管、霍尔传感器等弱信号的简易放大/缓冲开关级,利用其内置电阻实现稳定偏置,提升抗干扰性与一致性。 4. 消费电子与便携设备:广泛用于智能手机、TWS耳机、智能穿戴设备中的LED背光驱动、按键检测、电池管理子电路等,得益于其小尺寸、高可靠性及AEC-Q101兼容(注:该型号为工业级,非车规;具体需查最新数据手册确认)。 注意:该器件不适用于线性放大或高频模拟射频应用;设计时需关注功耗(Pd = 250 mW)、结温限制及ESD防护(HBM 8 kV)。建议参考NXP官方数据手册(Rev. 06, 2022)进行热设计与驱动匹配。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB开关晶体管 - 偏压电阻器 BISS RET |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PBRP113ZT,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBRP113ZT,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 750mV @ 6mA,600mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 230 @ 300mA,5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-7258-1 |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 1 kOhms |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 600 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 1k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 190 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 40 V |
| 零件号别名 | PBRP113ZT T/R |
| 频率-跃迁 | - |