Datasheet下载- 型号： PBLS6021D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS6021D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS6021D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS6021D,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBLS6021D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS6021D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS6021D,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为 R₁=10 kΩ, R₂=10 kΩ），实现内置偏置，无需外接偏置电阻。该器件采用 SOT-363（SC-70-6）小型封装，具有低功耗、高可靠性及优异的开关一致性。 其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑接口与电平转换：在微控制器（如ARM、MCU）、FPGA或DSP系统中，用于驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极等负载，简化电路设计； 2. 信号切换与多路控制：利用双通道结构实现双路独立开关控制，适用于便携式设备（如智能手机、可穿戴设备）中的传感器使能/复位信号管理； 3. 工业I/O模块：作为PLC输入缓冲或输出驱动级，提升抗干扰能力与响应速度； 4. 消费类电子：用于电池供电设备（如遥控器、智能家电）中的低功耗开关应用，得益于其低饱和电压（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）和较小静态电流； 5. 替代分立偏置方案：显著减少PCB面积与BOM数量，提高生产良率与装配效率。 该器件工作温度范围为−65°C 至 +150°C，符合AEC-Q101汽车级标准（部分批次），亦适用于车载信息娱乐系统等严苛环境下的基础开关功能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS6021D,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 260mV @ 100mA， 1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V / 140 @ 1A，2V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 934061568115 |
| 功率-最大值 | 760mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，1.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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