Datasheet下载- 型号： PBLS4001Y,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS4001Y,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS4001Y,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS4001Y,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBLS4001Y,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS4001Y,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBLS4001Y,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-电阻（典型配置为 R₁=10 kΩ, R₂=10 kΩ），实现免外部偏置设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）I/O口直接驱动LED、小型继电器或光耦，简化电路设计； 2. 高密度信号切换/缓冲：在空间受限的消费电子（如智能穿戴、TWS耳机充电仓）中替代分立三极管+电阻方案，节省PCB面积； 3. 电源管理辅助电路：用于负载开关控制、电源使能（EN）信号调理、电池检测电路中的电平整形与电流放大； 4. 工业传感器接口：配合霍尔传感器、光电开关等输出信号进行电平适配与噪声抑制，提升抗干扰能力； 5. 汽车电子子系统：满足AEC-Q101可靠性认证（注：需确认具体批次是否通过，但该系列广泛用于车身控制模块如车灯控制、雨刷驱动等非安全关键场景）。 其SOT-666封装（1.6×1.6 mm）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.1 V @ IC=10 mA）及宽工作温度范围（−55°C 至 +150°C）使其兼顾小型化、低功耗与环境适应性。不适用于大功率开关或高频射频应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS4001Y,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 350mV @ 50mA， 500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V / 150 @ 100mA，2V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-7235-2 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 2.2k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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