【PBLS1502V,115/规格参数】厂家_PBLS1502V,115中文资料_价格

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型号： PBLS1502V,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PBLS1502V,115产品简介：

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PBLS1502V,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置为 R₁=10 kΩ, R₂=10 kΩ），支持直接逻辑电平驱动，无需外置偏置电阻。  

其主要应用场景包括：  
- 数字逻辑接口与电平转换：用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）GPIO端口驱动LED、继电器或小功率MOSFET栅极，简化电路设计并提升响应速度；  
- 负载开关与信号切换：在便携式设备（如智能穿戴、IoT传感器节点）中作为低功耗、高可靠性开关，控制外围模块供电或信号通断；  
- 工业I/O模块：在PLC输入/输出扩展板中实现光电耦合器后级驱动或按钮/开关信号调理，增强抗干扰能力；  
- 汽车电子辅助电路：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），适用于车身控制模块（BCM）中的非安全关键信号处理，如灯光状态指示、风扇控制等；  
- 消费类电子产品：如打印机、扫描仪、家电控制板中用于驱动蜂鸣器、小型电磁阀或状态指示灯。  

该器件采用SOT666封装（尺寸1.7×1.7×0.6 mm），具备低饱和压降（V_CE(sat)≈0.15 V @ I_C=10 mA）、高直流电流增益（h_FE≈160）及ESD防护能力，显著节省PCB面积并提升量产一致性。适用于对空间、成本与设计简洁性要求较高的中低功率开关应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PREBIAS PNP/NPN SOT666
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	PBLS1502V,115
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	150mV @ 500µA， 10mA / 250mV @ 50mA， 500mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	30 @ 10mA，5V / 150 @ 100mA，2V
供应商器件封装	SOT-666
其它名称	568-7219-1
功率-最大值	300mW
包装	Digi-Reel®
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SOT-563，SOT-666
晶体管类型	1 NPN 预偏压式，1 PNP
标准包装	1
特色产品	http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html
电压-集射极击穿（最大值）	50V，15V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA，500mA
电流-集电极截止（最大值）	1µA， 100nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	4.7k
电阻器-基底(R1)(Ω)	4.7k
频率-跃迁	280MHz