ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > PBHV9050Z,115
Datasheet下载- 型号： PBHV9050Z,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBHV9050Z,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBHV9050Z,115价格参考￥1.02-￥1.02。NXP SemiconductorsPBHV9050Z,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 500V 250mA 50MHz 700mW 表面贴装 SOT-223。您可以下载PBHV9050Z,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBHV9050Z,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBHV9050Z,115 是 NXP USA Inc. 推出的高电压、低饱和压降（Low VCE(sat)）NPN 双极结型晶体管（BJT），主要面向中等功率开关应用。其典型应用场景包括： - 汽车电子系统：如车身控制模块（BCM）中的继电器驱动、LED车灯（尾灯、转向灯）调光与开关、电机（风扇、雨刷、门锁）的H桥或单边驱动；符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，支持-40°C至+150°C工作温度。 - 工业控制：PLC输出模块、固态继电器（SSR）、电源管理中的次级侧开关或反馈控制电路，得益于其60V VCEO耐压和最高1.2A IC连续电流能力。 - 消费类电源设备：AC-DC适配器、充电器中的初级侧辅助电源开关、待机电源（Standby PSU）或过流保护电路。 该器件采用SOT223封装，具备良好的热性能与PCB散热能力，且具有内置基极-发射极电阻（RBE = 10 kΩ），简化驱动设计，降低外围元件数量，提升系统可靠性与成本效益。适用于需兼顾高电压裕量、快速开关响应（tf ≈ 12 ns）及低导通损耗的中速开关场景（典型开关频率≤100 kHz）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP SOT223两极晶体管 - BJT Single PNP -500V -0.25A 700mW 550MHz |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBHV9050Z,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBHV9050Z,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 350mV @ 20mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 50mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 568-5575-2 |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 550 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 700 mW |
| 标准包装 | 1,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 500V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 250mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 500 V |
| 集电极连续电流 | - 0.25 A |
| 频率-跃迁 | 50MHz |
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