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产品简介:
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P6SMB75AT3 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款瞬态电压抑制(TVS)二极管,主要用于电路中的过电压保护,特别是针对静电放电(ESD)、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌等瞬态干扰。 该器件的额定击穿电压为75V,适用于直流电源线或信号线的保护,常见应用场景包括: 1. 工业控制系统:用于保护PLC、传感器和执行器接口免受瞬态电压损害。 2. 通信设备:如路由器、交换机和光模块,用于保护数据通信端口(如RS-485、CAN总线)。 3. 消费电子产品:如电源适配器、智能家电,防止静电和雷击浪涌造成的损坏。 4. 汽车电子系统:适用于车载电源系统和控制模块,满足车载环境中的电磁兼容(EMC)要求。 5. 电源模块与适配器:保护输入输出端口免受外部瞬态电压影响。 该器件采用SMB表面贴装封装,响应速度快、可靠性高,适合需要紧凑布局和高效保护的电子设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护 |
描述 | TVS DIODE 64.1VWM 103VC SMB |
产品分类 | TVS - 二极管 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | P6SMB75AT3 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同频率时的电容 | 280pF @ 1MHz |
供应商器件封装 | SMB |
功率-峰值脉冲 | 600W |
包装 | 带卷 (TR) |
单向通道 | 1 |
双向通道 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DO-214AA,SMB |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
应用 | 通用 |
标准包装 | 2,500 |
电压-击穿(最小值) | 71.3V |
电压-反向关态(典型值) | 64.1V |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 103V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 5.8A (8/20µs) |
电源线路保护 | 无 |
类型 | 齐纳 |