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P6SMB39AT3G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供P6SMB39AT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 P6SMB39AT3G价格参考¥询价-¥询价。ON SemiconductorP6SMB39AT3G封装/规格:TVS - 二极管, 。您可以下载P6SMB39AT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有P6SMB39AT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
P6SMB39AT3G是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),属于SMB封装的单向TVS器件,击穿电压典型值为39V(VRWM≈33.3V,VBR=35.1–38.8V,Clamping Voltage Vc≤60.7V @ 6.6A)。其主要应用场景包括: - 电源输入端口保护:广泛用于工业控制、通信设备、安防系统等的DC电源输入端(如24V/36V供电系统),抵御雷击感应浪涌、开关电源噪声及负载突变引起的瞬态过压。 - 信号线与接口防护:适用于RS-232/485、CAN总线、传感器接口等中低速信号线路,防止ESD(±30kV接触放电)及EFT(电快速瞬变脉冲群)干扰导致芯片损坏。 - 汽车电子辅助应用:虽非AEC-Q200认证型号,但在非关键车载模块(如车身控制、LED照明驱动电路)中可提供基础浪涌防护(需结合系统级设计验证)。 - 消费类与家电产品:用于适配器输入、电机驱动板、智能电表等易受电网波动影响的部位,提升整机EMC可靠性与使用寿命。 该器件具有响应快(<1ps)、功率高(600W峰值脉冲功率)、漏电流低(IR<1μA @ VRWM)等特点,配合PCB布局优化(短走线、就近接地)可高效钳位瞬态能量。注意:使用时需确保工作电压(VRWM)高于电路正常工作电压,并留有足够裕量;多级防护中常与保险丝、共模电感或压敏电阻协同使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC SMBTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 39V 600W Unidirectional |
| 产品分类 | |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor P6SMB39AT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | P6SMB39AT3G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同频率时的电容 | 500pF @ 1MHz |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SMB |
| 其它名称 | P6SMB39AT3GOSCT |
| 击穿电压 | 39 V |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AA,SMB |
| 封装/箱体 | DO-214AA |
| 尺寸 | 3.56 mm W x 4.32 mm L |
| 峰值浪涌电流 | 11.2 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 600 W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 工作电压 | 33.3 V |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 37.1V |
| 电压-反向关态(典型值) | 33.3V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 53.9V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 11.2A (8/20µs) |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | P6SMB6.8AT3G |
| 钳位电压 | 53.9 V |