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Datasheet下载- 型号： NZH9V1B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
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NZH9V1B,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NZH9V1B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NZH9V1B,115价格参考。NXP SemiconductorsNZH9V1B,115封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 9.1V 500mW ±2% Surface Mount SOD-123F。您可以下载NZH9V1B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NZH9V1B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NZH9V1B,115 是 NXP USA Inc. 推出的单颗齐纳二极管，标称稳压值为 9.1 V（±5%），最大功率耗散为 400 mW（SOD-123 封装），具有低动态阻抗、良好温度稳定性及快速响应特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：用于低压电源的精密参考电压源，如为 ADC、DAC 或运算放大器提供稳定偏置；在低成本线性稳压电路中作并联稳压元件。 2. 过压保护（OVP）与钳位：在信号线或电源输入端（如 USB、I²C、GPIO 接口）中，配合限流电阻实现瞬态电压钳位，防止 ESD 或浪涌损坏后级芯片（如 MCU、传感器）。 3. 电源监控与复位电路：配合比较器或专用复位 IC，监测系统电压是否跌落至 9.1 V 以下，触发安全关断或重启逻辑。 4. 工业与汽车电子辅助电路：适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中对成本敏感、空间受限的次级稳压/检测节点（符合 AEC-Q200 基础可靠性要求，但需确认具体批次认证状态）。 5. 消费类电子：在充电器、LED 驱动、电池管理等电路中用作简单稳压或反馈分压网络中的基准元件。 注意：该器件为通用型齐纳二极管，不适用于高精度或高温严苛环境（如 >125°C），设计时需校核功耗、温度漂移及长期稳定性。实际应用应参考 NXP 官方数据手册（Rev. 1.2+）及热设计规范。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123F稳压二极管 SINGLE ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | http://www.nxp.com/documents/data_sheet/NZH_SER.pdf?ecmp=mouser |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors NZH9V1B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NZH9V1B,115 |
| PCN封装 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 6V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-6376-2 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 500 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 8 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 电压容差 | 2 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 8 欧姆 |
| 齐纳电压 | 9.04 V |
