ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > NZH8V2B,115
Datasheet下载- 型号： NZH8V2B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
NZH8V2B,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NZH8V2B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NZH8V2B,115价格参考。NXP SemiconductorsNZH8V2B,115封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Surface Mount SOD-123F。您可以下载NZH8V2B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NZH8V2B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NZH8V2B,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高精度、低功耗齐纳二极管（单管），标称稳压值为 8.2 V，容差典型值 ±1%，动态阻抗低（约 30 Ω），最大反向电流仅 5 µA（@ 5 V），采用小型 SOD-523（SC-79）封装。其主要应用场景包括： 1. 精密电压基准与参考源：适用于便携式仪表、ADC/DAC 参考电路、传感器信号调理等对温漂和长期稳定性要求较高的场合（温度系数低至 ±3.5 ppm/°C）； 2. 电源过压保护与箝位：在低压系统（如 3.3 V/5 V MCU 供电域）中，配合TVS或限流电阻，实现输入端的精准钳位，防止后级 IC 因瞬态过压损坏； 3. LDO 或线性稳压器反馈网络：作为外部精密分压基准，提升输出电压精度与负载调整率； 4. 电池供电设备的电压监测：用于锂电池或多节碱性电池系统的欠压/过压检测阈值设定（如配合比较器构成 8.2 V 触发点）； 5. 工业与汽车电子中的辅助稳压：满足 AEC-Q200 基础可靠性要求（NXP 部分批次通过），适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等非主电源场景的局部稳压需求。 该器件强调低噪声、小体积与高一致性，不适用于大电流稳压（额定功率仅 300 mW），典型工作电流建议 1–10 mA。需注意散热设计及串联限流电阻匹配。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123F稳压二极管 SINGLE ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | http://www.nxp.com/documents/data_sheet/NZH_SER.pdf?ecmp=mouser |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors NZH8V2B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NZH8V2B,115 |
| PCN封装 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 5V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-6375-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 500 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 8 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 电压容差 | 2 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 8 欧姆 |
| 齐纳电压 | 8.2 V |
