Datasheet下载- 型号： NZH6V8B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NZH6V8B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NZH6V8B,115价格参考。NXP SemiconductorsNZH6V8B,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NZH6V8B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NZH6V8B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 NZH6V8B,115 是一款齐纳二极管，属于单齐纳二极管类别。这种器件的主要功能是通过其反向击穿特性来稳定电压或提供参考电压。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电压稳压 - NZH6V8B,115 可用于简单的电压稳压电路中，确保负载电压保持在稳定的范围内。例如，在低功耗设备中，可以使用齐纳二极管为传感器、微控制器或其他敏感电子元件提供稳定的供电电压。 2. 过压保护 - 在电源输入端或信号线路中，NZH6V8B,115 可以用作过压保护器件。当输入电压超过齐纳电压（6.8V）时，二极管会导通并分流多余电流，从而保护后级电路免受损坏。 3. 信号电平调整 - 在模拟电路或数字电路中，齐纳二极管可用于将信号电平限制在一个特定范围内。例如，在音频放大器或数据传输线路中，NZH6V8B,115 可以防止信号幅度过高，避免失真或损坏接收设备。 4. 参考电压源 - 由于齐纳二极管能够提供相对稳定的电压输出，NZH6V8B,115 可作为参考电压源，用于比较器电路、ADC/DAC 电路或线性稳压器中。 5. ESD 保护 - 在一些对静电敏感的电路中，齐纳二极管可以用作 ESD（静电放电）保护元件。当瞬态高压出现时，齐纳二极管会迅速导通，将多余的电荷泄放到地。 6. 电源监控 - 在电池供电系统中，NZH6V8B,115 可用于监测电池电压是否低于或高于某个阈值。例如，当电池电压下降到一定水平时，齐纳二极管可以帮助触发低电量警告。 特性总结： - 额定齐纳电压：6.8V - 功率耗散：约 0.5W（具体取决于封装） - 正向电流：适用于小信号应用 - 封装类型：通常为 SOD-323 或类似小型封装 这种齐纳二极管适合应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域的小型化设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123F稳压二极管 SINGLE ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | http://www.nxp.com/documents/data_sheet/NZH_SER.pdf?ecmp=mouser |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors NZH6V8B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NZH6V8B,115 |
| PCN封装 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 3.5V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-6373-2 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±3% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 2 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 8 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 电压容差 | 3 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 8 欧姆 |
| 齐纳电压 | 6.66 V |
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