Datasheet下载- 型号： NZH6V8B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NZH6V8B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NZH6V8B,115价格参考。NXP SemiconductorsNZH6V8B,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NZH6V8B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NZH6V8B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NZH6V8B,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高精度、低功耗齐纳二极管（单管），标称稳压值为 6.8 V，容差典型±1%，具有低动态阻抗（约 30 Ω）和极低漏电流（<100 nA @ 4 V），采用小型 SOD-123 表面贴装封装。 其主要应用场景包括： 1. 精密电压基准：为ADC、DAC、传感器信号调理电路或微控制器内部参考提供稳定、低噪声的6.8 V基准源； 2. 电源稳压与过压保护辅助：在低压LDO或DC-DC后级作二级稳压或电压钳位，提升系统电源精度与可靠性； 3. 工业与汽车电子中的电压监测/检测电路：如电池电压监控、电源OK信号生成（配合比较器），得益于其低温漂（TC ≈ ±3.5 ppm/°C）和宽工作温度范围（−65°C 至 +150°C），适用于严苛环境； 4. ESD敏感电路的局部箝位保护：利用其快速响应与可控击穿特性，配合TVS协同防护I/O端口； 5. 便携式设备低功耗设计：因反向漏电极小、静态功耗可忽略，适用于电池供电的物联网节点、可穿戴设备等对能效要求严苛的场景。 该器件符合AEC-Q101汽车级认证，亦广泛用于工业控制、医疗电子及通信模块中对电压稳定性、长期可靠性和温度适应性有较高要求的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123F稳压二极管 SINGLE ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | http://www.nxp.com/documents/data_sheet/NZH_SER.pdf?ecmp=mouser |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors NZH6V8B,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NZH6V8B,115 |
| PCN封装 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 3.5V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-6373-2 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±3% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 2 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 8 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 电压容差 | 3 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 8 欧姆 |
| 齐纳电压 | 6.66 V |
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