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NZH3V3A,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NZH3V3A,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NZH3V3A,115价格参考。NXP SemiconductorsNZH3V3A,115封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 3.3V 500mW ±3% Surface Mount SOD-123F。您可以下载NZH3V3A,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NZH3V3A,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NZH3V3A,115 是 NXP USA Inc. 推出的单齐纳二极管,标称稳压值为 3.3 V(容差 ±2%),最大功率耗散为 250 mW,采用小型 SOD-123 表面贴装封装。其典型应用场景包括: 1. 低功耗电压基准与稳压:适用于便携式设备(如蓝牙耳机、可穿戴设备、IoT传感器节点)中为MCU、ADC或LDO提供精准、低电流的3.3 V参考电压或辅助稳压。 2. ESD保护与过压钳位:凭借快速响应和低动态阻抗,常与I/O接口(如GPIO、UART、I²C总线)配合使用,吸收瞬态浪涌(如人体放电模型 HBM ±8 kV),实现低成本静电防护。 3. 电源轨监控与复位电路:在微控制器系统中,配合RC网络构成简易上电复位(POR)或欠压检测电路,确保系统在电源稳定至3.3 V后可靠启动。 4. 信号电平箝位与限幅:用于模拟前端或通信线路中,限制信号摆幅(如将±5 V信号安全箝位至0–3.3 V范围),保护后级低压器件(如3.3 V逻辑IC)。 该器件具有低漏电流(<100 nA @ 1 V)、良好温度稳定性(TC ≈ –1.5 mV/°C)及AEC-Q200兼容版本(部分料号),亦见于汽车电子中的车身控制模块等非安全关键子系统。因其小尺寸与高可靠性,广泛用于空间受限、成本敏感且对稳压精度要求适中的消费类与工业嵌入式应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123F稳压二极管 SINGLE ZENER DIODE |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | http://www.nxp.com/documents/data_sheet/NZH_SER.pdf?ecmp=mouser |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors NZH3V3A,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NZH3V3A,115 |
| PCN封装 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-6365-1 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±3% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 20 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 70 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.3V |
| 电压容差 | 3 % |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 70 欧姆 |
| 齐纳电压 | 3.27 V |