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产品简介:
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NZH11C,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款单齐纳二极管(Zener Diode),标称稳压值为 11 V(典型值),容差 ±5%,最大功率耗散为 400 mW(SOD-123 封装),具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其主要应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:用于低压电源的局部稳压,如为传感器、ADC 参考源或微控制器 I/O 端口提供稳定 11 V 基准电压(需配合限流电阻); 2. 过压保护(OVP)钳位:在信号线或电源输入端并联使用,将瞬态电压钳位于约 11 V,防止后级电路(如 MCU、运放)因浪涌或静电受损; 3. 电平转换与阈值检测:结合比较器或逻辑电路,实现 11 V 触发点的电压监测(如电池欠压/过压告警); 4. 模拟电路偏置:为运算放大器、VCO 或射频前端提供精确偏置电压; 5. 工业与汽车电子辅助电路:适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中对成本敏感、空间受限且无需高精度(±5% 满足多数场景)的稳压需求。 该器件采用无铅 SOD-123 封装,符合 AEC-Q200 认证(注:需查具体批次数据手册确认),具备一定车规适用性;但非高可靠性等级器件,不推荐用于安全关键系统(如气囊、制动)。设计时需注意功耗限制及散热条件,避免持续工作在最大额定值附近。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 11V 500MW SOD123F |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NZH11C,115 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 40nA @ 8V |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-6353-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±3% |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 11V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 10 欧姆 |