Datasheet下载- 型号： NX3008PBK,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NX3008PBK,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NX3008PBK,215价格参考。NXP SemiconductorsNX3008PBK,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NX3008PBK,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NX3008PBK,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NX3008PBK,215 是 NXP USA Inc. 推出的 P 沟道增强型 MOSFET（单个器件），采用超小型无铅封装 XSON-6（1.2×1.0 mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 95 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 1.7 nC）和快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关与电池保护电路，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与反向电流阻断（体二极管方向适配）； 2. USB 接口电源开关：作为 USB Type-C 或传统 USB 端口的过流/短路保护开关，支持热插拔与即插即用； 3. LED 驱动与背光控制：在小型 LCD 屏幕或指示灯电路中用作高边/低边开关，驱动小电流 LED（≤500 mA）； 4. DC-DC 转换器同步整流：在降压（Buck）转换器次级侧（尤其低压大电流场景）替代肖特基二极管，提升效率； 5. 逻辑电平兼容接口：支持 1.8 V–4.5 V 栅极驱动，可直接由 MCU GPIO 控制，适用于空间受限的嵌入式系统。 该器件具备 ESD 保护（HBM ≥2 kV）、符合 AEC-Q101（部分批次）及 RoHS 标准，兼具高可靠性与微型化优势，广泛应用于对尺寸、功耗和响应速度要求严苛的消费类与工业边缘节点设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V TO-236ABMOSFET 30V 230 MA P-CH TRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 230 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 230 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors NX3008PBK,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NX3008PBK,215 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 420 mW |
| Pd-功率耗散 | 420 mW |
| Qg-GateCharge | 0.55 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.55 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.9 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 46pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.72nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-10499-2 |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.8 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 160 mS |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 230 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 230mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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