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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NVTR0202PLT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVTR0202PLT1G价格参考。ON SemiconductorNVTR0202PLT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVTR0202PLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVTR0202PLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NVTR0202PLT1G的ON Semiconductor产品是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效开关和电源管理的电子系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压模块和电池管理系统,实现高效的能量转换与调节。 2. 负载开关:在便携式设备(如智能手机、平板电脑)中作为电源开关控制部件,实现低功耗待机功能。 3. 马达驱动:用于小型电机控制电路中,提供快速开关响应和良好的导通性能。 4. LED照明:作为调光或开关控制元件,适用于LED驱动电路。 5. 保护电路:用于过流保护、热插拔电路及电源多路复用设计中,保障系统稳定性与安全性。 该MOSFET具有低导通电阻、小封装尺寸、适合高密度PCB布局,适合中低功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 0.4A SOT23MOSFET PFET 20V 0.4A 80MOH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 400 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 400 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NVTR0202PLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NVTR0202PLT1G |
| Pd-PowerDissipation | 225 mW |
| Pd-功率耗散 | 225 mW |
| Qg-GateCharge | 2.18 nC |
| Qg-栅极电荷 | 2.18 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 550 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 70pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 800 毫欧 @ 200mA,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 225 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 550 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 2.18 nC |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 400 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 400mA (Ta) |
| 系列 | NTR0202PL |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |