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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NVMSD6N303R2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMSD6N303R2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMSD6N303R2G价格参考。ON SemiconductorNVMSD6N303R2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVMSD6N303R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVMSD6N303R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NVMSD6N303R2G是一款30V、N沟道增强型Trench MOSFET，采用超小型DFN2020-6（2.0×2.0 mm）封装，具有低导通电阻（典型Rds(on)仅12 mΩ @ Vgs=10V）、快速开关特性及优异的热性能。其主要应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路及DC-DC转换器同步整流； - 高效DC-DC转换：适用于降压（Buck）转换器的高边/低边开关，尤其在空间受限的POL（Point-of-Load）应用中； - LED驱动与背光控制：用于中小功率LED恒流驱动或LCD/OLED屏幕背光调光开关； - 电机控制：驱动微型直流电机（如振动马达、风扇）及步进电机H桥中的单路开关； - USB Type-C/PD接口保护：配合保护IC实现过流/反向电流防护及VBUS开关控制； - 工业与IoT传感器节点：作为低功耗唤醒开关或传感器供电使能器件。 该器件支持3.3V/5V逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.0–2.2V），具备ESD保护（HBM 2kV），符合AEC-Q101车规标准（部分批次），亦适用于严苛环境下的消费类与轻型车载应用（如座舱电子）。其小尺寸与高效率特别适配高密度PCB设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVMSD6N303R2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 2,500 |
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