Datasheet下载- 型号： NVD6828NLT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD6828NLT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD6828NLT4G价格参考。ON SemiconductorNVD6828NLT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVD6828NLT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVD6828NLT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD6828NLT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道逻辑电平增强型MOSFET阵列，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅15 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及100%经过雪崩能量测试等优势。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的高/低端开关，尤其适用于笔记本电脑、平板、机顶盒等便携式设备的板载多路电源管理； 2. 负载开关与电源路径管理：双MOSFET结构支持高效控制多个供电域的上电/断电时序，如USB供电切换、电池充放电路径隔离； 3. 电机驱动与LED驱动：在小型直流电机（如风扇、云台）或RGB LED背光驱动中，用作H桥半桥或PWM调光开关； 4. 工业与汽车电子：符合AEC-Q101标准（该型号为车规级版本），可用于车身控制模块（BCM）、智能传感器电源开关、车载USB充电口保护电路等。 其逻辑电平驱动能力（Vgs(th)低至1.0–2.2V）便于直接由MCU/ASIC的3.3V或5V GPIO驱动，无需额外电平转换或驱动IC，简化设计并提升系统能效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 90V 38A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVD6828NLT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 61nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 90V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.7A （Ta）， 41A （Tc） |
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