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- 型号： NTZD3156CT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTZD3156CT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTZD3156CT1G价格参考。ON SemiconductorNTZD3156CT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTZD3156CT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTZD3156CT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTZD3156CT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道、N沟道增强型MOSFET阵列（采用SOT-563封装，尺寸超小），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 80 mΩ @ VGS = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 2.5 nC）及快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED背光驱动或USB端口过流保护，得益于双MOSFET集成与小尺寸封装，节省PCB空间； 2. DC-DC转换器同步整流：在升压/降压模块中用作同步整流开关，提升转换效率（尤其在1–3 A中低电流应用）； 3. 电池供电系统保护电路：如电池充放电路径控制、反向电流阻断（利用体二极管方向性）、或热插拔（Hot-swap）控制； 4. 逻辑电平接口与信号切换：在3.3 V/5 V系统中实现GPIO驱动的低侧开关，控制传感器、小型执行器或通信总线（如I²C/SPI）的上拉/使能； 5. LED驱动与RGB调光：双通道可独立控制多色LED或分时驱动，支持PWM调光。 该器件工作结温范围宽（–55°C 至 +150°C），ESD防护达±2 kV（HBM），适合高可靠性、空间受限的消费类及工业嵌入式应用。注意：非隔离双N-MOS结构，需外部驱动电路确保栅极电压满足阈值要求（典型VGS(th) = 0.5–1.2 V）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTZD3156CT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 72pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 540mA，430mA |
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