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- 型号： NTR1P02LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTR1P02LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTR1P02LT1价格参考。ON SemiconductorNTR1P02LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTR1P02LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTR1P02LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTR1P02LT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 2.5Ω @ VGS = −10V）、低栅极电荷、快速开关特性及小尺寸优势。其额定电压为−20V，连续漏极电流为−480mA（TA = 25°C），适合低压、小功率应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与快速响应； ✅ LED驱动与背光控制：作为低侧开关驱动小型LED或段式LCD背光，利用其低VGS(th)（典型−0.6V）支持1.8V–3.3V逻辑电平直接驱动； ✅ DC-DC转换器辅助电路：在同步降压/升压拓扑中用作自举电路开关或使能控制开关； ✅ 接口电平转换与信号隔离：配合上拉电阻实现I²C、GPIO等数字信号的双向电平位移或开漏输出扩展； ✅ 电池供电系统的反向电流阻断：在双电池切换或USB OTG供电路径中防止倒灌电流，提升系统可靠性。 该器件无需外部驱动电路即可由MCU GPIO直接控制，配合SOT-23超小封装，特别适用于空间受限、成本敏感且对效率与响应速度有基本要求的消费类与工业嵌入式场景。
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