Datasheet下载- 型号： NTMSD6N303R2
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMSD6N303R2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMSD6N303R2价格参考。ON SemiconductorNTMSD6N303R2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMSD6N303R2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMSD6N303R2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMSD6N303R2 是安森美（ON Semiconductor）推出的30V、N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值仅4.5mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID可达60A）及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； 2. 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、平板、基站等设备中用作主板/模块的主电源开关，支持热插拔与过流保护； 3. 电机驱动：适用于中小功率直流电机（如风扇、泵、无人机电调）的H桥或单路驱动，兼顾响应速度与能效； 4. 电池管理系统（BMS）：作为充放电路径的主控MOSFET，配合保护IC实现过流/短路防护； 5. LED照明驱动：在高效率恒流驱动电路中承担PWM调光开关功能。 该器件具备雪崩耐受能力、符合RoHS标准，并优化了栅极电荷（Qg≈32nC），利于高频工作。其SO-8封装便于布局与散热设计，适合空间受限但需高功率密度的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMSD6N303R2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FETKY™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 950pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 32 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMSD6N303R2OS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
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