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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NTMSD2P102R2
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMSD2P102R2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMSD2P102R2价格参考。ON SemiconductorNTMSD2P102R2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMSD2P102R2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMSD2P102R2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMSD2P102R2 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为102mΩ @ Vgs = –4.5V）、高雪崩耐量及优良的热性能。其典型应用场景包括： • 负载开关与电源管理：常用于便携式设备（如智能手机、平板、TWS耳机）中的电池保护电路、USB端口电源开关或系统级电源轨控制，实现低功耗启停和反向电流阻断。 • DC-DC转换器：作为同步降压转换器（Buck）的高边或低边开关（尤其适用于P-MOSFET驱动简化设计的场合），或用于负载点（POL）稳压模块中提升效率。 • 电机驱动与LED驱动：适用于小型直流电机（如风扇、振动马达）的H桥或单路驱动电路；也可用于LED背光/指示灯的恒流/开关控制。 • 工业与消费类接口保护：在I/O端口、通信接口（如RS-485、CAN收发器供电侧）中提供过流/反接保护功能。 该器件支持–4.5V至–12V栅极驱动，具备100% UIS（非钳位感性开关）能力，可靠性高，适合空间受限且需中等功率（ID ≤ 3.5A连续，脉冲可达12A）、中低压（VDS = –20V）的高效开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMSD2P102R2 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 710mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.3A （Ta） |
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