Datasheet下载- 型号： NTMS5P02R2SG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS5P02R2SG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS5P02R2SG价格参考。ON SemiconductorNTMS5P02R2SG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMS5P02R2SG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMS5P02R2SG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMS5P02R2SG 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅24 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、额定电压–20 V、连续漏极电流–6.5 A（Tc=25°C），具备ESD保护及逻辑电平驱动能力（Vgs(th)低至–0.7 V至–1.3 V），适合3.3 V/5 V微控制器直接驱动。 其典型应用场景包括： ✅ 电源管理：作为负载开关或反向电压保护器件，用于便携设备（如TWS耳机、智能手表、POS终端）的电池供电路径控制，防止电池反接损坏； ✅ DC-DC转换器：在同步降压（Buck）或SEPIC等拓扑中作同步整流或高边开关（配合N-MOSFET使用），提升效率； ✅ 电机驱动：用于小型直流有刷电机（如风扇、微型泵）的H桥高边或单路PWM调速控制； ✅ LED驱动与背光控制：在手机/平板背光电路中实现LED串的高效恒流开关控制； ✅ 热插拔与电源排序：在多电源系统中实现受控上电时序和浪涌电流抑制。 该器件凭借小尺寸SO-8封装、低功耗特性及强鲁棒性，广泛适用于空间受限、对能效与可靠性要求较高的消费电子、工业控制及物联网终端设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMS5P02R2SG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 5.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMS5P02R2SGOSCT |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.95A （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NTMS5P02R2SG 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商