Datasheet下载- 型号： NTMS4800NR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS4800NR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS4800NR2G价格参考。ON SemiconductorNTMS4800NR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMS4800NR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMS4800NR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMS4800NR2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅12 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=9.5A连续，脉冲达40A）及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于笔记本电脑、平板、通信设备等的同步降压（Buck）转换器中，作为高边或低边开关，提升效率并减小发热； 2. 负载开关与电源管理：在便携式设备中用于USB供电路径管理、电池充放电保护、系统电源域隔离等，支持低功耗待机与快速响应； 3. 电机驱动与LED驱动：适用于小型直流电机（如风扇、打印机步进电机）的H桥驱动，以及中功率LED恒流调光电路中的PWM开关控制； 4. 工业与消费类电源模块：如AC-DC适配器次级侧同步整流、PoE（以太网供电）受电端PD电路、智能插座/家电的固态继电器替代方案。 该器件具备100%通过UIS（非钳位感性开关）测试、ESD防护（HBM 2kV），可靠性高，配合其小尺寸SO-8封装，特别适合空间受限、强调能效与热性能的中低功率应用（通常<60W）。需注意设计时合理布局PCB散热焊盘并确保栅极驱动电压稳定（推荐10V驱动以发挥最佳Rds(on)）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMS4800NR2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 940pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.9A （Ta） |
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