Datasheet下载- 型号： NTMS4700NR2
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS4700NR2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS4700NR2价格参考。ON SemiconductorNTMS4700NR2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMS4700NR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMS4700NR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMS4700NR2 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅28 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=9.5A连续，脉冲达40A）及快速开关特性。其典型应用场景包括： • DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、平板、机顶盒等便携式设备的主板供电模块（如CPU/GPU核心电压VRM）； • 负载开关与电源管理：在电池供电系统中用作高效电源通断控制（如USB端口限流保护、热插拔电路），支持低功耗待机与快速响应； • 电机驱动与LED照明：适用于小型直流电机（如风扇、打印机步进电机）的H桥驱动单元，以及智能LED驱动中的PWM调光开关； • 工业与消费类接口保护：在USB Type-C、PoE（以太网供电）前端或USB充电协议芯片配套电路中，承担过流/反向阻断功能。 该器件具备100%通过UIS（非钳位感性开关）测试、符合RoHS且无卤素，适合对可靠性、能效与空间有严苛要求的中低压（30V耐压）、中功率应用。注意设计时需合理布局PCB散热焊盘并确保栅极驱动稳定性，以发挥其低损耗优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMS4700NR2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.2 毫欧 @ 13A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMS4700NR2OSCT |
| 功率-最大值 | 860mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.6A （Ta） |
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