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产品简介:
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NTMFS4C56NT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用SO-8FL(PowerTDFN)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅3.2 mΩ @ Vgs=10V)、高电流能力(ID可达114 A)及优异的开关性能。其主要应用场景包括: - DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步降压(Buck)转换器,作为高侧或低侧开关,提升效率与功率密度; - 负载开关与热插拔电路:凭借低Rds(on)和快速开关特性,适用于主板、GPU供电模块及电源管理单元(PMU)中的智能负载控制; - 电机驱动:在中小功率BLDC电机驱动器中用作相桥臂开关(如无人机电调、风扇控制器); - 电池管理系统(BMS):用于电池保护电路中的充/放电主控开关,支持大电流、低损耗通断; - LED照明驱动:在高效率恒流驱动方案中承担PWM调光开关功能。 该器件支持逻辑电平驱动(Vgs(th) 1.0–2.5 V),兼容3.3V/5V MCU控制,并具备强雪崩耐量与AEC-Q101可靠性认证(部分批次),亦适用于汽车电子辅助系统(如车载USB充电模块、ADAS电源)。其紧凑封装和高热效率特别适合空间受限、散热要求严苛的高功率密度设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NTMFS4C56NT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 1,500 |