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  • 型号: NTMFS4943NT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4943NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4943NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4943NT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTMFS4943NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMFS4943NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMFS4943NT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用SO-8FL(PowerTDFN)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅2.5 mΩ @ Vgs=10V)、高电流能力(ID最大60A)、快速开关特性及优异热性能。其典型应用场景包括:

- DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流Buck转换器,提升效率并降低温升;  
- 负载开关与电源管理:在笔记本电脑、主板VRM、GPU供电等场景中用作高效主开关或OR-ing FET,支持热插拔与电源路径控制;  
- 电机驱动:适用于小功率BLDC电机驱动的H桥上/下桥臂,尤其在无人机、电动工具等对尺寸和效率敏感的便携式设备中;  
- LED照明驱动:作为恒流调光或PWM调光的高速开关元件;  
- 电池保护电路:配合保护IC实现过流、短路快速关断(得益于低Rds(on)与快响应)。

该器件支持100% I²t额定雪崩能量,具备强鲁棒性;符合AEC-Q101标准(部分批次),亦可用于车规级辅助系统(如车载USB充电模块)。其紧凑封装与低损耗特性,特别适合高密度、高能效的中大电流开关应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 8.3A SO8 FLMOSFET NFET SO8FL 30V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

41 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4943NT1G-

数据手册

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产品型号

NTMFS4943NT1G

PCN过时产品

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

2.6 W

Pd-功率耗散

2.6 W

RdsOn-漏源导通电阻

11 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1401pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20.9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.2 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6)

其它名称

NTMFS4943NT1GOSDKR

功率-最大值

910mW

包装

Digi-Reel®

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

11 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-TDFN 裸焊盘(5 根引线)

封装/箱体

SO-8FL

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

41 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8.3A (Ta), 41A (Tc)

配置

Single

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