Datasheet下载- 型号： NTMFS4839NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4839NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4839NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4839NT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMFS4839NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4839NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS4839NT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的单N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8FL（PowerTDFN）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 2.0 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 75 A）及优异的热性能。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； 2. 负载开关与电源管理：在主板、GPU供电、POL（Point-of-Load）模块中作为高效侧开关，支持快速启停与过流保护； 3. 电动工具与电池供电系统：适用于12–24 V电池组的电机驱动H桥或半桥电路，兼顾高脉冲电流与低功耗； 4. LED驱动与固态继电器：用作大电流开关，实现高效调光或隔离控制； 5. 汽车电子辅助系统：满足AEC-Q101可靠性认证（该型号为标准工业级，非车规；若需车规应用，建议选用同系列车规型号如NTMFS4C09N），但可应用于部分非安全关键的车载电源模块。 其小尺寸、低RDS(on)和强雪崩耐受能力，使其特别适合空间受限、高效率、高功率密度的设计场景。设计时需注意PCB散热铺铜及驱动电压（推荐VGS ≥ 4.5 V以确保充分导通）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMFS4839NT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1588pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.5 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 功率-最大值 | 870mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘（5 根引线） |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.5A （Ta）， 64A （Tc） |
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