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- 型号： NTMFS4108NT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4108NT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4108NT3G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4108NT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMFS4108NT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4108NT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS4108NT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8FL（PowerTDFN）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.2 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID最大60A）、快速开关特性及优异的热性能。 其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； - 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、主板VRM、GPU供电等场景中用作高效高侧/低侧开关，支持快速启停与过流保护； - 电机驱动：适用于中小功率直流电机或步进电机的H桥驱动单元，提供低损耗开关控制； - 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电路径控制、保护电路中的主控开关，兼顾低导通压降与可靠性； - LED照明驱动：在高效率恒流驱动电路中作为PWM调光开关元件。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.2–2.2V），兼容3.3V/5V MCU直接控制，并具备雪崩耐量（UIS rated），增强了系统鲁棒性。其紧凑封装和高功率密度设计特别适合空间受限、散热要求严苛的高能效电子产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 22A 30V SO8 FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMFS4108NT3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 毫欧 @ 21A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 功率-最大值 | 910mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘（5 根引线） |
| 标准包装 | 5,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13.5A （Ta） |
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