Datasheet下载- 型号： NTLUD3191PZTAG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLUD3191PZTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLUD3191PZTAG价格参考。ON SemiconductorNTLUD3191PZTAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLUD3191PZTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLUD3191PZTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLUD3191PZTAG 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列，采用超小型无铅封装（X1-DFN1006-3），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅150 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、低栅极电荷及快速开关特性。其主要应用场景包括： • 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电池保护电路，利用其双P-MOS结构实现高效反向电流阻断与低功耗待机控制； • 紧凑型DC-DC转换器：作为同步整流或输入侧高边开关，适用于空间受限的升压/降压模块； • LED驱动与背光控制：用于OLED/LCD屏的多路背光调光或电流路径切换； • 工业与IoT传感器节点：在低功耗微控制器系统中担当电源域隔离（Power Domain Isolation）和外设供电使能开关； • ESD敏感接口保护：配合TVS器件，提供低电容、快速响应的过压/反接保护。 该器件工作电压范围为–20 V（VDS），连续漏极电流达±380 mA（Ta=25°C），支持-55°C~+150°C宽温运行，符合AEC-Q101车规可靠性标准（部分批次），亦适用于严苛环境下的轻型车载电子（如座舱传感器、LED灯控）。其小尺寸与高集成度特别适合高密度PCB布局需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.7A DUAL 6UDFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLUD3191PZTAG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-UDFN（1.6x1.6） |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.1A |
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