Datasheet下载- 型号： NTLJF3118NTAG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJF3118NTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJF3118NTAG价格参考。ON SemiconductorNTLJF3118NTAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJF3118NTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJF3118NTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJF3118NTAG 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用微型TSOP-6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅19mΩ @ Vgs = –4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 5.5nC）和高开关效率等特点。其额定电压为–20V，连续漏极电流达–4.5A（Tc=25°C），适用于低压、中电流、高频开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电池保护电路，利用其低Rds(on)减小压降与发热； ✅ DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中作为同步整流管，提升转换效率； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小尺寸LCD/OLED显示屏的背光调光与开关控制； ✅ USB Type-C接口保护与电源路径管理：配合充电IC实现反向电流阻断与热插拔保护； ✅ 工业与IoT传感器节点：在低功耗微控制器系统中用作电源域隔离或外设供电使能开关。 该器件具备ESD保护（HBM ≥ 2kV），符合RoHS及AEC-Q200可靠性标准（NTAG后缀代表汽车级版本），因此也适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性和温度范围（–55°C ~ +150°C）要求较高的场景。其小尺寸与高效率特性，特别适合空间受限、强调能效与快速响应的设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLJF3118NTAG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 271pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NTLJF3118NTAG 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商