Datasheet下载- 型号： NTLJD2104PTBG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJD2104PTBG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJD2104PTBG价格参考。ON SemiconductorNTLJD2104PTBG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJD2104PTBG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJD2104PTBG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJD2104PTBG 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列，采用微型无铅DFN6（2×2 mm）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 95 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷及快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关与电源路径控制，利用其双P-MOSFET结构实现高效反向电流阻断与电池保护。 2. USB接口保护与热插拔控制：在USB Type-C或USB PD供电电路中，用作VBUS侧的过流/反向电压保护开关，防止外设异常时损坏主控芯片。 3. DC-DC转换器同步整流辅助电路：虽非主功率管，但可作为低压侧逻辑控制或偏置电源开关，配合升压/降压IC实现紧凑型多路供电管理。 4. LED背光驱动与RGB灯控：在小型显示屏或指示灯模块中，用于独立控制多路LED阴极侧开关，支持PWM调光。 5. 工业传感器与IoT节点电源选通：在低功耗MCU系统中，动态启用/关闭外围传感器模块，降低待机功耗（典型关断漏电流<100 nA）。 该器件支持−0.5 V至−12 V宽范围VGS，具备ESD防护（HBM 2 kV），适合空间受限、需高可靠性及低静态功耗的设计场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLJD2104PTBG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 467pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A |
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