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- 型号： NTK3043NT1H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTK3043NT1H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTK3043NT1H价格参考。ON SemiconductorNTK3043NT1H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTK3043NT1H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTK3043NT1H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTK3043NT1H 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款P沟道增强型MOSFET，采用SOT-723超小型封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 850mΩ @ VGS = −4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.9nC）和低阈值电压（VGS(th) ≈ −0.5V至−1.2V），适合低压、小电流开关应用。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备的负载开关——如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的电源路径管理或外设供电控制，利用其超小封装节省PCB空间，配合低驱动电压（兼容1.8V/3.3V GPIO）实现高效启停； 2. 电池供电系统的反向电流保护与电池切换——在单节锂电（2.5–5.5V）系统中，作为高边开关防止电池反向放电或实现主备电源无缝切换； 3. LED驱动与背光控制——用于低功耗指示灯或小型LCD背光的PWM调光开关，响应快、功耗低； 4. IoT传感器节点的电源门控——在待机状态下切断非关键模块供电，显著降低静态功耗，延长电池寿命。 该器件无铅、符合RoHS，支持回流焊，适用于高密度、微型化、注重能效的消费类及工业边缘设备。需注意其连续漏极电流仅为360mA（Ta=25°C），不适用于大功率场景。
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